此設(shè)備為利用電子束轟擊間接加熱法的蒸鍍源。

與舊型號(BS-60310)相比增加了電子束掃描功能，并通過掃描功能實現(xiàn)了高速率，厚膜蒸鍍，適配大型裝置等特點。

?坩堝容量加大

?高速率。與舊型號相比Al蒸鍍提升10倍，Ge蒸鍍提升40倍。

?適配大型設(shè)備。T-S距離1.1m的情況下仍然可以得到足夠的速率。

?可厚膜蒸鍍?？蓱獙t外線的相關(guān)用途。

?速率穩(wěn)定化。舊型號較難控制的升華性材料的蒸鍍速率也能實現(xiàn)穩(wěn)定蒸鍍。

?低損傷，低缺陷，低吸收等，舊型號的特點也一并繼承。

電子束轟擊方式的加熱原理（示意圖）

電子束照射范圍擴大·坩堝大容量化

通過增加電子束掃描功能使得電子束的照射范圍相比舊型號得到了顯著的提高，并使得坩堝大容量化成為可能。

厚膜兼容

坩堝大容量化使得蒸鍍材料的填充量也得到增加，繼而使得每個坩堝可實現(xiàn)的蒸鍍最大膜厚也得到增加。紅外線用途的使用也成為可能。

與舊型號相比蒸鍍比較困難的氟化鑭等升華性材料的利用率也得到了提高。

高速率化·適配大型設(shè)備

由于電子束照射范圍擴大時，電子束的電流密度會隨之降低，所以可以實現(xiàn)增大輸出而不損壞坩堝；而且電子束照射范圍擴大也增大了蒸發(fā)面積。通過增大最大輸出和擴大蒸發(fā)面積從而實現(xiàn)了蒸鍍的高速率化。

T-S距離1.1m的情況下，Al可以實現(xiàn)4 nm/s，Ge可以實現(xiàn)1 nm/s的蒸鍍速率，可以適配大型設(shè)備。

Ge蒸鍍實例

用于紅外線透光膜的鍺也可以實現(xiàn)高速率蒸鍍（舊型號的40倍），提高生產(chǎn)效率；并且坩堝也為了防止飛濺的產(chǎn)生而進行了特殊的設(shè)計，使得蒸鍍穩(wěn)定和光學吸收減少鍍膜成為可能。

在蒸鍍Ge時，與EB蒸鍍相比，可以實現(xiàn)飛濺更少，表面粗糙度數(shù)值更小的鍍膜

MgF2蒸鍍實例

以下為BS-60610和EB在相同條件下進行蒸鍍時，穿透率和反射率的和的比較數(shù)據(jù)

BS-60610BDS的特點是可以完成在300 nm附近光學吸收少的薄膜鍍膜。

MgF2單層膜膜厚分布的數(shù)據(jù)

Al蒸鍍實例

BS-60610BDS和EB的，Al膜的反射率特性的3種比較數(shù)據(jù)。

BS-60610BDS的光譜特性再現(xiàn)性高（變化小），并且可以實現(xiàn)高反射率。

以下為Al膜表面粗糙度的計算值。與EB蒸鍍比較表面的平滑度得到改善

可應對多種材料的蒸鍍

以下為可蒸鍍材料的一覽。需要選配適合蒸鍍材料的坩堝