JEM-3200FS場發(fā)射電子顯微鏡配備了最高加速電壓為300kV的場發(fā)射電子槍（FEG）和鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過濾器，能為廣泛的研究領(lǐng)域提供各種全新的解決方案。
鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過濾器(omega 過濾器)
鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過濾器內(nèi)置于成像透鏡系統(tǒng)，能容易地獲得能量過濾像和能量損失譜，同時(shí)還能獲得與傳統(tǒng)電子顯微鏡同等的放大倍率范圍。此外、Ω型過濾器的電子光學(xué)系統(tǒng)在設(shè)計(jì)上最大程度地減少了圖像畸變，出廠前還將剩余一點(diǎn)的畸變做了最后的修正。JEM-3200FS還采用了高靈敏度的相機(jī)系統(tǒng)及圖像處理系統(tǒng)（選配件），可以構(gòu)建元素面分布系統(tǒng)及能量損失譜系統(tǒng)。
新型控制系統(tǒng)
電子槍、電子光學(xué)系統(tǒng)、測角臺、抽真空系統(tǒng)等電子顯微鏡基本功能的系統(tǒng)化，實(shí)現(xiàn)了高穩(wěn)定、高性能的控制系統(tǒng)。圖像畫面和用戶界面采用Windows ?*1，可以進(jìn)行編程操作和附件的集中控制。
新型測角臺
系統(tǒng)化的新型測角臺內(nèi)置壓電陶瓷驅(qū)動機(jī)構(gòu)，使高倍率下的樣品移動更加精確。*2.
*1 : 注意事項(xiàng)：Windows是微軟公司在美國和其他國家的注冊商標(biāo)。
*2 : 僅有壓電元件包括在基本單元中，壓電元件的電源為選配件。
| 物鏡極靴*1 | 超高分辨UHR | 高分辨率HR | 高傾斜HT | 高襯度HC |
| 分辨率 | ||||
| 點(diǎn)分辨率 晶格分辨率 |
0.17nm 0.1nm |
0.19nm 0.1nm |
0.21nm 0.1nm |
0.26nm 0.14nm |
| 能量分辨率 | 0.9 eV（零損失FWHM） | |||
| 加速電壓 | 300kV，200kV,100kV*2 | |||
| 最小步長 能量位移 |
100V 最大3,000V (以0.2V為步長) |
|||
| 電子槍 | ||||
| 發(fā)射體 | ZrO/W(100) 肖特基式 | |||
| 亮度 | ≧7×108A/cm2? sr | |||
| 真空度 | 3×10-8Pa | |||
| 探針電流 | 探針直徑為1nm時(shí)，電流在0.5nA以上 | |||
| 穩(wěn)定度 | ||||
| 加速電壓 | 2×10-6/min | |||
| 物鏡電流 | 1×10-6/min | |||
| 過濾器透鏡電流 | 1×10-6/min | |||
| 物鏡 | ||||
| 焦距 | 2.7 mm | 3.0 mm | 3.5 mm | 3.9 mm |
| 球差系數(shù) | 0.6 mm | 1.1 mm | 1.4 mm | 3.2 mm |
| 色差系數(shù) | 1.5 mm | 1.8 mm | 2.2 mm | 3.0 mm |
| 最小焦距步長 | 1.0 nm | 1.4 nm | 1.5 nm | 4.1 nm |
| 束斑尺寸 | ||||
| TEM 模式 | 2 ～ 5 nmφ | 2 ～ 5 nmφ | 7 ～ 30 nmφ | |
| EDS 模式 | 0.4 ～ 1.6 nmφ | 0.5 ～ 2.4 nmφ | 4 ～ 20 nmφ | |
| NBD 模式 | 0.4 ～ 1.6 nmφ | 0.5 ～ 2.4 nmφ | - | |
| CBD 模式 | 0.4 ～ 1.6 nmφ | 0.5 ～ 2.4 nmφ | - | |
| 電子束衍射 | ||||
| 衍射角(2α) | 1.5 t～ 20 mrad | - | ||
| 取出角 | ±10 ° | - | ||
| 倍率 | ||||
| MAG 模式 | ×2,500 ～ 1,500,000 | ×2,000 ～ 1,200,000 | ×1,500 ～ 1,200,000 | |
| LOW MAG 模式 | ×100 ～ 3,000 | |||
| SA MAG 模式 | ×8,000 ～ 600,000 | ×6,000 ～ 500,000 | ×5,000 ～ 500,000 | |
| 視野 | 10eV時(shí)狹縫寬度60mm(底片上) 2eV時(shí)狹縫寬度25mm(底片上) |
|||
| 相機(jī)長度 | ||||
| 選區(qū)電子衍射 | 200 ～ 2,000 mm | 250 ～ 2,500 mm | 400 ～ 3,000 mm | |
| EELS 散射 | ||||
| 能量選擇 在能量選擇狹縫上 |
0.85 μm/eV , 300 kV | |||
| 底片上 | 100 ～ 220 μm/eV , 300kV | |||
| 樣品室 | ||||
| 樣品移動范圍 (XY/Z) | 2mm/0.2mm | 2mm/0.4mm | 2mm/0.4mm | 2mm/0.4mm |
| 樣品傾斜角 (X/Y) | ±25°/±25°*3 | ±35°/±30°*3 | ±42°/±30°*3 | ±38°/±30°*3 |
| EDS*4 | ||||
| 固體角 | 0.13 sr | 0.09 sr | ||
| 取出角 | 25° | 20° | ||
